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SIA416DJ-T1-GE3中文资料

  • 大小:214KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:11.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:83 mOhm @ 3.2A, 10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:10nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:295pF @ 50V
  • 功率 - 最大:19W
  • 安装类型:*
  • 封装/外壳:*
  • 供应商设备封装:*
  • 包装:*
  • 其它名称:SIA416DJ-T1-GE3TR

SIA416DJ-T1-GE3供应商

更新时间:2023-01-06 05:52:48
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