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SIA416DJ-T1-GE3中文资料

  • 大小：214KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：11.3A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：83 mOhm @ 3.2A, 10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：10nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：295pF @ 50V
  • 功率 - 最大：19W
  • 安装类型：*
  • 封装/外壳：*
  • 供应商设备封装：*
  • 包装：*
  • 其它名称：SIA416DJ-T1-GE3TR

SIA416DJ-T1-GE3供应商

更新时间:2023-01-06 05:52:48
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SE8117T18-LF-1.8VSN74AUC244RGYRSY58035UMGSN74LVC2G00DCURSTM4470SI2303CDS-T1-GE3S21ME4SN74LVC1G11DBVRSVF4N60DTRSN74LVC2GU04DBVR

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